- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
Détention brevets de la classe H01L 23/522
Brevets de cette classe: 13440
Historique des publications depuis 10 ans
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483
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| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
3128 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
1071 |
| Intel Corporation | 45621 |
726 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
696 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
381 |
| Qualcomm Incorporated | 76576 |
340 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
319 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
291 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
277 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
267 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
266 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
252 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
194 |
| Nanya Technology Corporation | 2000 |
160 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
151 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
141 |
| Rohm Co., Ltd. | 5843 |
110 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
95 |
| Infineon Technologies AG | 8189 |
94 |
| Tokyo Electron Limited | 11599 |
92 |
| Autres propriétaires | 4389 |